规格书 |
NTJD2152P-D |
文档 |
Multiple Devices 19/Dec/2008 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | 2 P-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 8V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 775mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 300 mOhm @ 570mA, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 4nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 225pF @ 8V |
功率 - 最大 | 270mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 775mA |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1V @ 250µA |
供应商设备封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 300 mOhm @ 570mA, 4.5V |
FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
功率 - 最大 | 270mW |
标准包装 | 3,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 8V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 225pF @ 8V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 4nC @ 4.5V |
封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
工厂包装数量 | 3000 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | P-Channel |
配置 | Dual |
源极击穿电压 | +/- 8 V |
连续漏极电流 | - 0.775 A |
正向跨导 - 闵 | 2 S |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 510 mOhms |
功率耗散 | 0.27 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | SOT-363 |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
上升时间 | 23 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | - 8 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 23 ns |
漏源极电压 (Vdss) | 8V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 225pF @ 8V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 300 mOhm @ 570mA, 4.5V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4nC @ 4.5V |
FET 功能 | Logic Level Gate |
FET 类型 | 2 P-Channel (Dual) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
功率 - 最大值 | 270mW |
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